继上周媒体报道天合光能申请了一项异质结相关专利后,12月7日又有消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请了一项名为“光电器件及其制备方法、光伏组件和光伏系统“,公开号CN117177595A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,本申请涉及光伏发电技术领域,特别是涉及一种光电器件及其制备方法、光伏组件和光伏系统,用以解决相关技术中钙钛矿材料在SAM上的浸润性较差以及SAM和基底层之间的结合性能差等的问题。
一种光电器件,包括:依次层叠的基底层、空穴传输层和钙钛矿层;其中,所述空穴传输层包括:沿逐渐远离所述基底层的方向依次层叠的第一子层和第二子层,所述第一子层和所述第二子层的材料均包括自组装材料,且所述第一子层和所述第二子层中其中之一采用溶液法制备得到,另一个采用蒸镀法制备得到。
此前媒体报道称,天合光能在9月份申请了一项异质结背接触电池专利,以提高电池组件效率。这意味着,天合光能在9月份先申请了钙钛矿材料相关专利后,又在10月份申请了异质结电池、组件相关的专利。
据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“异质结背接触电池及其适用的电池组件”,公开号CN117117023A,申请日期为2023年10月。
专利摘要显示,本申请提供了一种异质结背接触电池及其适用的电池组件。异质结背接触电池包括硅衬底,具有相对的第一表面和第二表面,其中,第一表面更靠近电池的受光面、第二表面更靠近电池的背光面,且第二表面包括多个相邻且交替排布的A区段和B区段;钝化层,位于第一表面与受光面之间;隧穿氧化层和与硅衬底具有相同导电类型的第一薄膜层,隧穿氧化层和第一薄膜层在A区段上向远离第二表面的方向依次叠加;以及本征非晶硅层和与硅衬底具有相反导电类型的第二薄膜层,本征非晶硅层和第二薄膜层在B区段上向远离第二表面的方向依次叠加。(资料来源:金融界)